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71V424L15YG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V424L15YG
廠商型號

71V424L15YG
參數屬性

71V424L15YG 封裝/外殼為36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
功能描述

3.3V CMOS Static RAM
文件大小

72.68 Kbytes
頁面數量

9 頁
生產廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-29 16:54:00

71V424L15YG規(guī)格書詳情

Description

The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.

Features

◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise

◆Equal access and cycle times

— Commercial and Industrial: 10/12/15ns

◆Single 3.3V power supply

◆One Chip Select plus one Output Enable pin

◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible

◆Low power consumption via chip deselect

◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.

產品屬性

  • 產品編號：

    71V424L15YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    36-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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