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71V424S10YGI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V424S10YGI |
參數(shù)屬性 | 71V424S10YGI 封裝/外殼為36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit) |
文件大小 |
189.42 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-5 23:00:00 |
71V424S10YGI規(guī)格書詳情
Features
◆ 512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆ JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆ Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆ Single 3.3V power supply
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Bidirectional data inputs and outputs directly
TTL-compatible
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and
44-pin, 400 mil TSOP.
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
71V424S10YGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
4Mb(512K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
36-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
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