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71V424S10YGI8集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V424S10YGI8 |
參數屬性 | 71V424S10YGI8 封裝/外殼為36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
文件大小 |
72.68 Kbytes |
頁面數量 |
9 頁 |
生產廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2024-12-29 23:00:00 |
71V424S10YGI8規(guī)格書詳情
Description
The IDT71V424 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized as 512K x 8. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high speed memory needs.
Features
◆512K x 8 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
◆Equal access and cycle times
— Commercial and Industrial: 10/12/15ns
◆Single 3.3V power supply
◆One Chip Select plus one Output Enable pin
◆Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-compatible
◆Low power consumption via chip deselect
◆Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ package and 44-pin, 400 mil TSOP.
產品屬性
- 產品編號:
71V424S10YGI8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 異步
- 存儲容量:
4Mb(512K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應商器件封裝:
36-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
SOJ36 |
7350 |
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詢價 | ||
IDT(Renesas收購) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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IDT |
1942+ |
TSOP44 |
9852 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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SOJ36 |
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Renesas |
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IDT |
22+ |
TSOP44 |
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IDT |
24+ |
TSOP |
12320 |
原裝正品 力挺實單 |
詢價 | ||
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
36-BSOJ |
8600 |
只供原裝進口公司現貨+可訂貨 |
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IDT |
22+ |
TSOP |
25000 |
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詢價 | ||
原裝IDT |
19+ |
TSOP44 |
20000 |
原裝現貨假一罰十 |
詢價 |