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71V65603集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

71V65603
廠商型號(hào)

71V65603

參數(shù)屬性

71V65603 封裝/外殼為119-BGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件大小

313.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

27 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 13:02:00

71V65603規(guī)格書詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 150MHz

(3.8ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control signal

registers for fully pipelined applications

◆ 4-word burst capability (interleaved or linear)

◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

◆ Three chip enables for simple depth expansion

◆ 3.3V power supply (±5)

◆ 3.3V I/O Supply (VDDQ)

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine

pitch ball grid array(fBGA)

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V65603S100BG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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