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71V65803S150BGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150BGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150BGI8	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150BGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150BQ	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMsZBT?Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150BQG	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMsZBT?Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150BQI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMsZBT?Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150PFG	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMsZBT?Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65803S150PFGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMsZBT?Feature3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IDT71V65803S150BG	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V65803S150BGI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V65803S150BQ	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V65803S150BQI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V65803S150PF	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V65803S150PFI	文件：496.4 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
71V65803S150BGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存儲容量：
9Mb（512K x 18）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
119-BGA
供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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