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71V65903S80BQG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V65903S80BQG
廠商型號

71V65903S80BQG
參數(shù)屬性

71V65903S80BQG 封裝/外殼為165-TBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
功能描述

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs
文件大小

311.56 Kbytes
頁面數(shù)量

27 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-3 16:00:00

71V65903S80BQG規(guī)格書詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 100 MHz

(7.5 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆ 4-word burst capability (Interleaved or linear)

◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

◆ Three chip enables for simple depth expansion

◆ 3.3V power supply (±5)

◆ 3.3V (±5) I/O Supply (VDDQ)

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA)

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V65903S80BQG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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