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71V67903S75BQI

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67903S75BQI

Package：165-TBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V67903S75BQI8

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67903S75BQI8

Package：165-TBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V67903S75PFG

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V67903S75PFGI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V67903S75BG

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67903S75BGI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67903S75BQ

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V67903S75BQI

256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs,SingleCycleDeselect

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V67903S75BQI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲(chǔ)容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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更多71V67903S75BQI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-12 15:00:00

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