首頁 >71V67903S75PFG8>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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71V67903S75PFG8 | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportsfastaccesstimes: –7.5nsupto117MHzclockfrequency –8.0nsupto100MHzclockfrequency –8.5nsupto87MHzclockfrequency ◆LBOinputselectsinterleavedorlinearburstmode ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritec | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | |
71V67903S75PFG8 | 包裝:托盤 封裝/外殼:100-LQFP 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP | Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
71V67903S75PFG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 同步,SDR
- 存儲容量:
9Mb(512K x 18)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
100-LQFP
- 供應商器件封裝:
100-TQFP(14x14)
- 描述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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