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IAUAN04S7N006

Marking：7N04N006；Package：PG-HSOF-5-1；Automotive MOSFET OptiMOSTM 7 Power-Transistor

Features ?OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications ?N-channel-Enhancementmode-NormalLevel ?ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 ?Enhancedelectricaltesting ?Robustdesign ?MSL2aupto260°Cpeakreflow ?175°Coperatingtemperature ?RoHScompliant ?100Avalanche

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IAUCN04S7N006

Marking：7N04N006；Package：PG-TDSON-8-43；OptiMOS? 7 Power-Transistor

Features ?OptiMOS?powerMOSFETforautomotiveapplications ?N-channel–Enhancementmode–NormalLevel ?ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 ?Enhancedelectricaltesting ?Robustdesign ?MSL1upto260°Cpeakreflow ?175°Coperatingtemperature ?RoHScompliant ?100Avalanchet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IAUMN04S7N006G

Marking：7N04N006；Package：PG-HSOG-4-1；OptiMOSTM 7 Power-Transistor

Features ?OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications ?N-channel-Enhancementmode-NormalLevel ?ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 ?Enhancedelectricaltesting ?Robustdesign ?MSL2upto260°Cpeakreflow ?175°Coperatingtemperature ?RoHScompliant ?100%Avala

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
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6000
專業(yè)優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價(jià)
更多7N04N006供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 11:06:00

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