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10BJ12A

Marking：A12；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppressors (TVS) Data Sheet

Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowprofilepackage Builtinstrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability 1000Wpeakpulsepowercapabilityat10/1000μswaveform, r epetitionrate(dutycycle):0.01

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

10SMBJ12A

Marking：A12；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

AD8541AKSZ-REEL7

Marking：A12；Package：SC70；CMOS Rail-to-Rail General-Purpose Amplifiers

FEATURES ?Single-supplyoperation:2.7Vto5.5V ?Lowsupplycurrent:45μA/amplifier ?Widebandwidth:1MHz ?Nophasereversal ?Lowinputcurrents:4pA ?Unitygainstable ?Rail-to-railinputandoutput ?AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications APPLICATIONS ?ASICinputo

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

PJA3412-AU_R1_000A1

Marking：A12；Package：SOT-23；20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@4.5V,ID@4.1A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

SI2312A

Marking：A12；Package：SOT-23；UMW SI2312A

Features VDS(V)=20V ID=6A(VGS=4.5V) RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

SI2312A

Marking：A12；Package：SOT-23；MOSFET

Features VDS(V)=20V ID=6A(VGS=4.5V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

1.0SMBJ12A

Marking：A12；1000 WATT TVS COMPONENT

PROTEC

Protek Devices

LP1221DT2AG

Marking：A12；Package：DFN2020-6S；12V P-Channel Enhancement MOSFET

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

10BJ120A

Marking：A120；Package：DO-214AA；Transient Voltage Suppressors (TVS) Data Sheet

Features Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace Lowprofilepackage Builtinstrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability 1000Wpeakpulsepowercapabilityat10/1000μswaveform, r epetitionrate(dutycycle):0.01

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

10SMBJ120A

Marking：A120；Package：DO-214AA；5.0 To 200V 1000W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

Features Glasspassivatedchip 1000Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform Repetitiverate(dutycycle):0.01 TypicalIRlessthan1μAabove10V Excellentclampingcapability Veryfastresponsetime Hightemperaturesoldering:260℃/10satterminals. RoHScompliant

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    A1238

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    3DG84C,

  • 最大耗散功率：

    1.2W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0

  • wtest：

    1.2

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A12

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 系列：

    A12

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 頻率：

    5MHz ~ 1GHz

  • P1dB：

    8dBm

  • 增益：

    16dB

  • 噪聲系數(shù)：

    2.8dB

  • 射頻類型：

    通用

  • 電壓 - 供電：

    15V

  • 電流 - 供電：

    22mA

  • 測試頻率：

    5MHz ~ 1GHz

  • 封裝/外殼：

    TO-8 形式，4 引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-8

  • 描述：

    AMPLIFIER,CASCADABLE

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多A12供應(yīng)商 更新時間2025-4-17 14:50:00

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