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AIMZHN120R080M1T

Marking:A12M1N080;Package:PG-TO247-4-STD-NN6.7;CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=31AatTC=25°C ?RDS(on)=80mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswitc

InfineonInfineon Technologies AG

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更多A12M1N080供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 16:50:00