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AD8539ARMZ

Marking：A1S；Package：MSOP；Low Power, Precision, Auto-Zero Op Amps

FEATURES Lowoffsetvoltage:13μVmaximum Inputoffsetdrift:0.03μV/°C Single-supplyoperation:2.7Vto5.5V Highgain,CMRR,andPSRR Lowinputbiascurrent:25pA Lowsupplycurrent:180μA Qualifiedforautomotiveapplications APPLICATIONS Mobilecommunications Portableinstrumen

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

AD8539ARMZ-REEL

Marking：A1S；Package：MSOP；Low Power, Precision, Auto-Zero Op Amps

FEATURES Lowoffsetvoltage:13μVmaximum Inputoffsetdrift:0.03μV/°C Single-supplyoperation:2.7Vto5.5V Highgain,CMRR,andPSRR Lowinputbiascurrent:25pA Lowsupplycurrent:180μA Qualifiedforautomotiveapplications APPLICATIONS Mobilecommunications Portableinstrumen

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

SK2301AAT

Marking：A1S；Package：SOT-523；SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

SK2301AAW

Marking：A1S；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

SK2301AW

Marking：A1S；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

DMP2123LQ

Marking：A1SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMP2123LQ GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

IRLML6402

Marking：A1SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyIRLML6402 GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

NJ2301

Marking：A1SHB；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

Features TrenchFETPowerMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PMV48XPA

Marking：A1SHB；Package：SOT-23；-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. ThePMV48XPAusesadvancedtrenchtechnology GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

SI2301B

Marking：A1SHB；Package：SOT-23；P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A1S

  • 制造商：

    ZINGZ

  • 類別：

    電池產(chǎn)品 > 非充電電池（一次電池）

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 描述：

    MITSUBISHI A1S - LI - 3.6V/2100M

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多A1S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-29 16:30:00

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