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A2I09VD030GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

TheA2I09VD030Nwidebandintegratedcircuitisdesignedwithon?chip matchingthatmakesitusablefrom575to1300MHz.Thismulti?stage structureisratedfor48to55Voperationandcoversalltypicalcellularbase stationmodulationformats. Features ?On?chipmatching(50ohminput,D

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2I09VD030GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2I09VD030GNR1

Package：TO-270-15 變型，鷗翼；包裝：托盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP TO270WBG-15

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A2I09VD030GNR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    托盤

  • P1dB：

    33.3dB

  • 增益：

    34.3dB

  • 電壓 - 供電：

    48V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-270-15 變型，鷗翼

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-270WBG-15

  • 描述：

    IC RF AMP TO270WBG-15

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多A2I09VD030GNR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-4 15:49:00

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