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A2I09VD030N_V01

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

TheA2I09VD030Nwidebandintegratedcircuitisdesignedwithon?chip matchingthatmakesitusablefrom575to1300MHz.Thismulti?stage structureisratedfor48to55Voperationandcoversalltypicalcellularbase stationmodulationformats. Features ?On?chipmatching(50ohminput,D

nxpNXP Semiconductors

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更多A2I09VD030N_V01供應(yīng)商 更新時間2025-1-19 11:00:00

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