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A2T08VD020NT1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 FESSCRE

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原廠料號(hào)：A2T08VD020NT1品牌：FESSCRE

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A2T08VD020NT1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商FESSCRE/NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝QFN/24-PowerQFN的A2T08VD020NT1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    A2T08VD020NT1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    NXP【恩智浦】詳情

  • 廠商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 中文名稱：

    恩智浦半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    20 頁

  • 文件大?。?/span>

    362.83 kb

  • 資料說明：

    RF Power LDMOS Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A2T08VD020NT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    728MHz ~ 960MHz

  • 增益：

    19.1dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    18W

  • 封裝/外殼：

    24-PowerQFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-PQFN-EP（8x8）

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市中億偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/陳小姐/李小姐

  • 手機(jī)：

    13927433817

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83232593/13927433817

  • 傳真：

    0755-82534482

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)北佳和華強(qiáng)三店（5C081）房間

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