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A2T08VD020NT1

RF Power LDMOS Transistor

N?ChannelEnhancement?ModeLateralMOSFET This2WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof728to960MHz. Features ?Greaternegativegate?sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?On?chipmatching(50ohmin

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T08VD020NT1

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T08VD020NT1

Package：24-PowerQFN；包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A2T08VD020NT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    728MHz ~ 960MHz

  • 增益：

    19.1dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    18W

  • 封裝/外殼：

    24-PowerQFN

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    24-PQFN-EP（8x8）

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP USA Inc.
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更多A2T08VD020NT1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-10 11:13:00

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