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A2T08VD020NT1

RF Power LDMOS Transistor

N?ChannelEnhancement?ModeLateralMOSFET This2WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof728to960MHz. Features ?Greaternegativegate?sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?On?chipmatching(50ohmin

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

A2T08VD020NT1

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

A2T08VD020NT1

包裝：散裝 封裝/外殼：24-PowerQFN 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A2T08VD020NT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    728MHz ~ 960MHz

  • 增益：

    19.1dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    18W

  • 封裝/外殼：

    24-PowerQFN

  • 供應商器件封裝：

    24-PQFN-EP（8x8）

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
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更多A2T08VD020NT1供應商 更新時間2025-1-8 16:24:00

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