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A2T08VD020NT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2T08VD020NT1
廠商型號

A2T08VD020NT1

參數(shù)屬性

A2T08VD020NT1 封裝/外殼為24-PowerQFN;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

功能描述

RF Power LDMOS Transistor

封裝外殼

24-PowerQFN

文件大小

362.83 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-9 12:00:00

A2T08VD020NT1規(guī)格書詳情

N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

This 2 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station

applications covering the frequency range of 728 to 960 MHz.

Features

? Greater negative gate?source voltage range for improved Class C

operation

? On?chip matching (50 ohm input, DC blocked)

? Integrated quiescent current temperature compensation with

enable/disable function (1)

? Integrated ESD protection

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2T08VD020NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    728MHz ~ 960MHz

  • 增益:

    19.1dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    18W

  • 封裝/外殼:

    24-PowerQFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    24-PQFN-EP(8x8)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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