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A2T18S162W31S

RF Power LDMOS Transistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs These32WRFpowerLDMOStransistorsaredesignedforcellularbase stationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapability coveringthefrequencyrangeof1805to1880MHz. Features ?DesignedforWideInstantaneousBandwidt

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T18S162W31SR3

RF Power LDMOS Transistors

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T18S162W31SR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：NI-780S-2L2LA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC TRANS RF LDMOS

NXP USA Inc.

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供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多A2T18S162W31S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 15:21:00

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