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A2T18S166W12SR3

RF Power LDMOS Transistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This38WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapabilitycovering thefrequencyrangeof1805to1995MHz. Features ?Designedforwideinstantaneousbandwidthap

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T18S166W12SR3

包裝：散裝 封裝/外殼：NI-780-2S2L 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    A2T18S166W12SR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.805GHz ~ 1.995GHz

  • 功率 - 輸出：

    38W

  • 封裝/外殼：

    NI-780-2S2L

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-780-2S2L

  • 描述：

    FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
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更多A2T18S166W12SR3供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 14:14:00

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