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A2T18S166W12SR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
A2T18S166W12SR3 |
| 參數(shù)屬性 | A2T18S166W12SR3 封裝/外殼為NI-780-2S2L；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2 |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 封裝外殼 | NI-780-2S2L |
| 文件大小 |
502.63 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-14 11:58:00 |
A2T18S166W12SR3規(guī)格書詳情
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
This 38 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station
applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering
the frequency range of 1805 to 1995 MHz.
Features
? Designed for wide instantaneous bandwidth applications
? Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
? Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating
conditions
? Optimized for Doherty applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
A2T18S166W12SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.805GHz ~ 1.995GHz
- 功率 - 輸出：
38W
- 封裝/外殼：
NI-780-2S2L
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-780-2S2L
- 描述：
FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
OM-880X-2L2L-4 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP USA Inc. |
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NI-780-2S2L |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
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詢價(jià) |
