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A2T18S160W31S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
A2T18S160W31S |
| 參數(shù)屬性 | A2T18S160W31S 封裝/外殼為NI-780S-2L2LA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC TRANS RF LDMOS |
| 功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | NI-780S-2L2LA |
| 文件大小 |
669.64 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
20 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-9 11:39:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
A2T18S160W31SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.88GHz
- 增益：
19.9dB
- 功率 - 輸出：
32W
- 封裝/外殼：
NI-780S-2L2LA
- 供應商器件封裝：
NI-780S-2L2LA
- 描述：
IC TRANS RF LDMOS
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
- |
23+ |
NA |
5000 |
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NXP Semiconductors |
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23+ |
SMD |
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NXP/恩智浦 |
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