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A2T18S166W12S

RF Power LDMOS Transistor

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET This38WRFpowerLDMOStransistorisdesignedforcellularbasestation applicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapabilitycovering thefrequencyrangeof1805to1995MHz. Features ?Designedforwideinstantaneousbandwidthap

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T18S166W12SR3

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T18S166W12SR3

包裝:散裝 封裝/外殼:NI-780-2S2L 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

NXP USA Inc.

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更多A2T18S166W12S供應(yīng)商 更新時間2025-1-8 15:21:00