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A2T14H450-23N

RF Power LDMOS Transistor N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

This93WasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof1427to 1517MHz. Features ?Advancedhighperformancein?packageDoherty ?Greaternegativegate?sourcevoltagerangeforimprovedClassCoperation

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T14H450-23N

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T14H450-23N_V01

RF Power LDMOS Transistor N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET

This93WasymmetricalDohertyRFpowerLDMOStransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationscoveringthefrequencyrangeof1427to 1517MHz. Features ?Advancedhighperformancein?packageDoherty ?Greaternegativegate?sourcevoltagerangeforimprovedClassCoperation

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T14H450-23NR6

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2T14H450-23NR6

Package：OM-1230-4L2S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.

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絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多A2T14H450-23N供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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