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A2T21H360-23NR6分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2T21H360-23NR6
廠商型號

A2T21H360-23NR6

參數(shù)屬性

A2T21H360-23NR6 封裝/外殼為OM-1230-4L2L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S

功能描述

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

OM-1230-4L2L

文件大小

489.04 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 9:45:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2T21H360-23NR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    16.8dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    373W

  • 封裝/外殼:

    OM-1230-4L2L

  • 供應商器件封裝:

    OM-1230-4L2L

  • 描述:

    RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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