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A2T21H360-23NR6分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
A2T21H360-23NR6 |
| 參數(shù)屬性 | A2T21H360-23NR6 封裝/外殼為OM-1230-4L2L；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S |
| 功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| 封裝外殼 | OM-1230-4L2L |
| 文件大小 |
489.04 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 20:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
A2T21H360-23NR6
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
2.11GHz ~ 2.2GHz
- 增益：
16.8dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
373W
- 封裝/外殼：
OM-1230-4L2L
- 供應商器件封裝：
OM-1230-4L2L
- 描述：
RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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