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A2T18S261W12N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2T18S261W12N
廠商型號

A2T18S261W12N

參數(shù)屬性

A2T18S261W12N 封裝/外殼為OM-880X-2L2L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

功能描述

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

OM-880X-2L2L

文件大小

233.69 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 11:22:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2T18S261W12NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.805GHz ~ 1.88GHz

  • 增益:

    18.2dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    280W

  • 封裝/外殼:

    OM-880X-2L2L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OM-880X-2L2L

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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