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A2T27S007NT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2T27S007NT1
廠商型號(hào)

A2T27S007NT1
參數(shù)屬性

A2T27S007NT1 封裝/外殼為16-VDFN 裸焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
功能描述

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
文件大小

543.39 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-8 23:00:00

A2T27S007NT1規(guī)格書詳情

A2T27S007NT1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的A2T27S007NT1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A2T27S007NT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    728MHz ~ 3.6GHz

  • 功率 - 輸出：

    28.8dBm

  • 封裝/外殼：

    16-VDFN 裸焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    16-DFN（4x6）

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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