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A2V07H400-04NR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

A2V07H400-04NR3
廠商型號(hào)

A2V07H400-04NR3

參數(shù)屬性

A2V07H400-04NR3 封裝/外殼為OM-780G-4L;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

功能描述

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

OM-780G-4L

文件大小

805.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

23 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

A2V07H400-04NR3規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Advanced high performance in--package Doherty

? Greater negative gate--source voltage range for improved Class C

operation

? Designed for digital predistortion error correction systems

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A2V07H400-04NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    595MHz ~ 851MHz

  • 增益:

    19.9dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    267W

  • 封裝/外殼:

    OM-780G-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OM-780G-4L

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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