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A2V07H400-04NR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

A2V07H400-04NR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

A2V07H400-04NR3

Package:OM-780G-4L;包裝:帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

A2V07H400-04NR3_V01

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2V07H400-04NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    595MHz ~ 851MHz

  • 增益:

    19.9dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    267W

  • 封裝/外殼:

    OM-780G-4L

  • 供應商器件封裝:

    OM-780G-4L

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
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