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A3G26D055N-2400 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 NXP USA Inc.

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  • 廠家型號：

    A3G26D055N-2400

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NXP USA Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    30000

  • 產(chǎn)品封裝：

    6-LDFN 裸露焊盤

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-28 16:17:00

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原廠料號：A3G26D055N-2400品牌：NXP USA Inc.

晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品

A3G26D055N-2400是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝6-LDFN 裸露焊盤的A3G26D055N-2400晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    A3G26D055N-2400

  • 規(guī)格書：

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產(chǎn)品屬性

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  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    A3G26D055N-2400

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    GaN

  • 頻率：

    100MHz ~ 2.69GHz

  • 增益：

    13.9dB

  • 功率 - 輸出：

    8W

  • 封裝/外殼：

    6-LDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-PDFN（7x6.5）

  • 描述：

    RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13128990370/微信同號

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

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