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A3G26H200W17S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A3G26H200W17S
廠商型號(hào)

A3G26H200W17S

參數(shù)屬性

A3G26H200W17S 封裝/外殼為NI-780S-4S2S;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

功能描述

RF Power GaN Transistor

封裝外殼

NI-780S-4S2S

文件大小

344.75 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A3G26H200W17SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 頻率:

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    14.2dB

  • 功率 - 輸出:

    34W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4S2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4S2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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