A3G26H200W17SR3_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

原廠料號：A3G26H200W17SR3品牌：NXP USA Inc.

資料說明：AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

A3G26H200W17SR3是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-780S-4S2S的A3G26H200W17SR3晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號：

  a3g26h200w17sr3

• 規(guī)格書：

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• 資料說明：

  AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,