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A3G26H200W17SR3

包裝:帶 封裝/外殼:NI-780S-4S2S 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A3G26H200W17SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 頻率:

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    14.2dB

  • 功率 - 輸出:

    34W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4S2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4S2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
NXP(恩智浦)
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NI-780S-4S2S
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更多A3G26H200W17SR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 16:12:00