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A3G26H350W17S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A3G26H350W17S
廠商型號

A3G26H350W17S

參數(shù)屬性

A3G26H350W17S 封裝/外殼為NI-780S-4S2S;包裝為帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

功能描述

RF Power GaN Transistor

封裝外殼

NI-780S-4S2S

文件大小

374.42 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-8 17:49:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A3G26H350W17SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

  • 頻率:

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    13.3dB

  • 功率 - 輸出:

    59W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4S2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4S2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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