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A3G26H350W17S分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
A3G26H350W17S |
參數(shù)屬性 | A3G26H350W17S 封裝/外殼為NI-780S-4S2S;包裝為帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, |
功能描述 | RF Power GaN Transistor |
封裝外殼 | NI-780S-4S2S |
文件大小 |
374.42 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-8 17:49:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
A3G26H350W17SR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
帶
- 頻率:
2.496GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
13.3dB
- 功率 - 輸出:
59W
- 封裝/外殼:
NI-780S-4S2S
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-780S-4S2S
- 描述:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
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SMD |
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