A3I20X050GNR1_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號:A3I20X050GNR1品牌:NXP USA Inc.

資料說明:AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

A3I20X050GNR1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝OM-400G-8的A3I20X050GNR1晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號:

    a3i20x050gnr1

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  • 資料說明:

    AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    A3I20X050GNR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    A3I20X050GN

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.8GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    29.3dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    6.3W

  • 封裝/外殼:

    OM-400G-8

  • 供應商器件封裝:

    OM-400G-8

  • 描述:

    AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP USA Inc.
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OM-400G-8
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