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A3I25D080GNR1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 NXP/恩智浦

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  • 廠家型號(hào)：

    A3I25D080GNR1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NXP/恩智浦

  • 庫存數(shù)量：

    12800

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-18

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-6 10:04:00

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原廠料號(hào)：A3I25D080GNR1品牌：NXP

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A3I25D080GNR1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP/NXP USA Inc.生產(chǎn)封裝TO-18/TO-270-17 變型，鷗翼的A3I25D080GNR1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    A3I25D080GNR1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    NXP【恩智浦】詳情

  • 廠商全稱：

    NXP Semiconductors

  • 中文名稱：

    恩智浦半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大?。?/span>

    470.53 kb

  • 資料說明：

    RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A3I25D080GNR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    2.3GHz ~ 2.69GHz

  • 增益：

    29.2dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    8.3W

  • 封裝/外殼：

    TO-270-17 變型，鷗翼

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-270WBG-17

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市實(shí)中創(chuàng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    15915457838

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    15915459915

  • 地址：

    深圳市福田上步工業(yè)區(qū)201棟西座305C室

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