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A5G26H110N分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A5G26H110N
廠商型號

A5G26H110N

參數(shù)屬性

A5G26H110N 封裝/外殼為6-LDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

功能描述

Airfast RF Power GaN Transistor

文件大小

209.59 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 18:35:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A5G26H110NT4

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 頻率:

    2.496GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    17.7dB

  • 功率 - 輸出:

    15W

  • 封裝/外殼:

    6-LDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    6-PDFN(7x6.5)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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