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A5G26H110N分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
A5G26H110N |
參數(shù)屬性 | A5G26H110N 封裝/外殼為6-LDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR, |
功能描述 | Airfast RF Power GaN Transistor |
文件大小 |
209.59 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-6 18:35:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
A5G26H110NT4
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
散裝
- 頻率:
2.496GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
17.7dB
- 功率 - 輸出:
15W
- 封裝/外殼:
6-LDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝:
6-PDFN(7x6.5)
- 描述:
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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