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A5G35H110NT4

Airfast RF Power GaN Transistor

This15.1WasymmetricalDohertyRFpowerGaNtransistorisdesignedfor cellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidth capabilitycoveringthefrequencyrangeof3300to3700MHz. Thispartischaracterizedandperformanceisguaranteedforapplications operati

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35H110NT4

Airfast RF Power GaN Transistor

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A5G35H110NT4

Package:6-LDFN 裸露焊盤;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A5G35H110NT4

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 頻率:

    3.3GHz ~ 3.7GHz

  • 增益:

    15.3dB

  • 功率 - 輸出:

    15.1W

  • 封裝/外殼:

    6-LDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-PDFN(7x6.5)

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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