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A5G35S008N_V02

Airfast RF Power GaN Transistor

This27dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof3300to3800MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexitylinearizationsystems ?Universalbroadbanddriver ?

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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更多A5G35S008N_V02供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:08:00

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