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ACE9926BFM-H	文件：1.28744 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AF9926N	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NS	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
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AF9926NSL	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSLA	文件：414.08 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	ANACHIPAnachip Corp 易亨電子易亨電子股份有限公司	ANACHIP
AF9926NSLA	文件：981.82 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AM9926	文件：647.75 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM9926usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM9926isavailableinSOP8package. FEATURES ?VDS=20V,ID=6A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技	AITSEMI
AM9926N	文件：373.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO9926	文件：234.8 Kbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO9926usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom1.8Vto8V.Thetwodevicesmaybeusedindividually,inparallelortoformabidirectionalblockingswitch. Features VDS(V	ALPHA Alpha Industries	ALPHA
AO9926	文件：981.73 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO9926A	文件：293.39 Kbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO9926AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.Theyofferoperationoverawidegatedriverangefrom1.8Vto8V.Thetwodevicesmaybeusedindividually,inparallelortoformabidirectionalblockingswitch. Features VDS(	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO9926A	文件：981.75 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO9926B	文件：122.22 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch.StandardProduct	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO9926B	文件：981.73 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO9926B	文件：252.37 Kbytes Page：5 Pages	20VDualN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO9926BL	文件：122.22 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO9926BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswitch.StandardProduct	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO9926C	文件：981.74 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO9926C	文件：1.15115 Mbytes Page：5 Pages	20VDualN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO9926CusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasaunidirectionalorbi-directionalloadswitch. ProductSummary	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AO9926E	文件：249.16 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO9926EusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected.StandardProductAO9926EisPb-free(meetsR	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD

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更多ACE9926BFM-H供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 10:31:00

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