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2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：730.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SB1184	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1184	文件：1.08954 Mbytes Page：4 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2SB1184	文件：333.09 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ?LowVCE(sat) ?Smallandslimpackage ?Complementsthe2SD1760/2SD1864 ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：129.36 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1760/2SD1864/2SD1762. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：470.55 Kbytes Page：4 Pages	PNPPLASTICENCAPSULATETRANSISTORS Features: *LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SB1184	文件：95.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(−60V,−3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：244.61 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	Powertransistor Features ●LowVCE(sat). ●PNPsilicontransistor. ●Epitaxialplanartype	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1184	文件：172.5 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(-60V,-3A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SB1184-P	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LowCollectorSaturationVoltage ?Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SB1184-P	文件：672.73 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SB1184-P	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1184-Q	文件：1.2499 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SB1184-Q	文件：76.58 Kbytes Page：1 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES ●Designedforgeneral ●LowVCE(sat)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SB1184-Q	文件：672.73 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SB1184-Q	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LowCollectorSaturationVoltage ?Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SB1184-R	文件：596.28 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?LowCollectorSaturationVoltage ?Execllentcurre	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC

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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	AD-2SB1184SERIES	CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)	23+	TO-252-2L	100000	原裝現(xiàn)貨、價(jià)格優(yōu)勢(shì)、可開(kāi)發(fā)票	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	AD-2SC2412-R		24+	N/A	62000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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