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AE590PNB	文件：552.26 Kbytes Page：2 Pages	OutgassingCompliantPowerInductors	COILCRAFTCoilcraft lnc. 線藝美國(guó)線藝公司	COILCRAFT
AE590PND	文件：562.72 Kbytes Page：3 Pages	OutgassingCompliantCoupledInductors	COILCRAFTCoilcraft lnc. 線藝美國(guó)線藝公司	COILCRAFT
AK590	文件：785.06 Kbytes Page：3 Pages	AKSERIESVERTICAL	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
AN590	文件：122.14 Kbytes Page：7 Pages	PWMGENERATIONWITHST62AUTO-RELOADTIMER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
ASL590	文件：804.07 Kbytes Page：10 Pages	WidebandLinearAmplifierMMIC	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
B590B	文件：336.301 Kbytes Page：2 Pages	5A90VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
B590C	文件：332.401 Kbytes Page：2 Pages	5A90VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
BD590S	文件：113.86 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT5Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?Foruseinlow	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BD590T	文件：52.28 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT5Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?Foruseinlow	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BD590YS	文件：79.34 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BD590YT	文件：51.11 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200Volts CURRENT5Amperes FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O ?Forsurfacemountedapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowpowerloss,Highefficiency ?Highsurgecapacity ?Foruseinl	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
BFG590	文件：263.08 Kbytes Page：11 Pages	NPN5GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS ?MATV/CATVamplifiersandRFcommunications	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG590	文件：105.48 Kbytes Page：12 Pages	NPN5GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS ?MATV/CATVamplifiersandRFcommunications	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG590	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG590/X	文件：105.48 Kbytes Page：12 Pages	NPN5GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS ?MATV/CATVamplifiersandRFcommunications	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG590/X	文件：159.22 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG590/X	文件：148.94 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT343Nplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,su	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BFG590/X	文件：306.4 Kbytes Page：13 Pages	NPN9GHzwidebandtransistors DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorina4-pindual-emitterSOT143Bplasticpackage. FEATURES ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS RFfrontendapplicationsintheGHzrange,	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BFG590/X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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