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BFG590分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG590
廠商型號

BFG590

參數(shù)屬性

BFG590 封裝/外殼為TO-253-4,TO-253AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B

功能描述

NPN 5 GHz wideband transistors

絲印標識

-MH

封裝外殼

SOT-143B / TO-253-4,TO-253AA

文件大小

105.48 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 22:30:00

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BFG590規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT143B plastic package.

FEATURES

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures excellent reliability.

APPLICATIONS

? MATV/CATV amplifiers and RF communications

subscriber equipment in the GHz range

? Ideally suitable for use in class-A, (A)B and C amplifiers

with either pulsed or continuous drive.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFG590/X,215

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 功率 - 最大值:

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 70mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-143B

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT143B

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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