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BFG540W/X分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFG540W/X
廠商型號

BFG540W/X

參數(shù)屬性

BFG540W/X 封裝/外殼為SC-82A,SOT-343;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4

功能描述

NPN 9 GHz wideband transistor

絲印標識

N7

封裝外殼

SOT-343N / SC-82A,SOT-343

文件大小

132.2 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

Philips飛利浦

中文名稱

荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 12:21:00

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BFG540W/X規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistors, intended for wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, satellite TV tuners (SATV), MATV/CATV amplifiers and repeater amplifiers in fibre-optical systems.

FEATURES

? High power gain

? Low noise figure

? High transition frequency

? Gold metallization ensures

excellent reliability.

產品屬性

  • 產品編號:

    BFG540W/XR,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 40mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    120mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-82A,SOT-343

  • 供應商器件封裝:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
22+
SOT343
9000
原裝正品
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NXP(恩智浦)
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原裝正品 支持實單
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SOT-343
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