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AD636JH	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
AD636JH	文件：444.66 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
AD636JH	文件：473.54 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter FEATURES Truerms-to-dcconversion 200mVfullscale Laser-trimmedtohighaccuracy 0.5%maximumerror(AD636K) 1.0%maximumerror(AD636J) Wideresponsecapability Computesrmsofacanddcsignals 1MHz,?3dBbandwidth:Vrms>100mV Signalcrestfactorof6for0.5%error	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
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AD636JHZ	文件：473.54 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter FEATURES Truerms-to-dcconversion 200mVfullscale Laser-trimmedtohighaccuracy 0.5%maximumerror(AD636K) 1.0%maximumerror(AD636J) Wideresponsecapability Computesrmsofacanddcsignals 1MHz,?3dBbandwidth:Vrms>100mV Signalcrestfactorof6for0.5%error	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
AD636K	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
AD636KD	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
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AD636KDZ	文件：473.54 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter FEATURES Truerms-to-dcconversion 200mVfullscale Laser-trimmedtohighaccuracy 0.5%maximumerror(AD636K) 1.0%maximumerror(AD636J) Wideresponsecapability Computesrmsofacanddcsignals 1MHz,?3dBbandwidth:Vrms>100mV Signalcrestfactorof6for0.5%error	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
AD636KH	文件：157.72 Kbytes Page：8 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter GENERALDESCRIPTION TheAD636isalowpowermonolithicICthatperformstruerms-to-dcconversiononlowlevelsignals.Itoffersperformancethatiscomparableorsuperiortothatofhybridandmodularconverterscostingmuchmore.TheAD636isspecifiedforasignalrangeof0mVto200mVrms	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
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AD636KH	文件：473.54 Kbytes Page：16 Pages	LowLevel,TrueRMS-to-DCConverter FEATURES Truerms-to-dcconversion 200mVfullscale Laser-trimmedtohighaccuracy 0.5%maximumerror(AD636K) 1.0%maximumerror(AD636J) Wideresponsecapability Computesrmsofacanddcsignals 1MHz,?3dBbandwidth:Vrms>100mV Signalcrestfactorof6for0.5%error	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
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ADG636	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADG636	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADG636YRU	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADG636YRU	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,?5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
ADG636YRU-REEL	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,?5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
AL-HG636A	文件：338.41 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.6mmHeight)	A-BRIGHT A-BRIGHT Inc	A-BRIGHT

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