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ADG636	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADG636	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADG636YRU	文件：147.68 Kbytes Page：12 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakageCMOS5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADG636YRU	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,?5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADG636YRU-REEL	文件：498.96 Kbytes Page：16 Pages	1pCChargeInjection,100pALeakage,CMOS,?5V/5V/3VDualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG636isamonolithicdevice,comprisingtwoindependentlyselectableCMOSsinglepole,doublethrow(SPDT) switches.Whenon,eachswitchconductsequallywellinboth directions. TheADG636operatesfromadual±2.7Vto±5.5Vsupply,orfromasinglesupplyof+2.7	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AL-HG636A	文件：338.41 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.6mmHeight)	A-BRIGHT A-BRIGHT Inc	A-BRIGHT
AL-HG636D	文件：339.61 Kbytes Page：5 Pages	GreenSMDChipLEDLamps(0.8mmHeight)	A-BRIGHT A-BRIGHT Inc	A-BRIGHT
AT636	文件：44.07 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto1800V Meanon-statecurrent1965A Surgecurrent36kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
ATS636LSE	文件：814.15 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableBackBiasedHall-EffectSwitchwithTPOSFunctionality FEATURES ChopperStabilization Extremelylowswitch-pointdriftovertemperature On-chipProtection Supplytransientprotection Outputshort-circuitprotection Reverse-batteryprotection TrueZero-SpeedOperation TruePower-OnState Single-chipSensingICforHighReliability O	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
ATS636LSETN-T	文件：814.15 Kbytes Page：15 Pages	ProgrammableBackBiasedHall-EffectSwitchwithTPOSFunctionality FEATURES ChopperStabilization Extremelylowswitch-pointdriftovertemperature On-chipProtection Supplytransientprotection Outputshort-circuitprotection Reverse-batteryprotection TrueZero-SpeedOperation TruePower-OnState Single-chipSensingICforHighReliability O	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
ATS636LSETN-T	文件：348.67 Kbytes Page：15 Pages	TheATS636LSEprogrammable,truepower-onstate(TPOS),deviceisoptimizedHall-effectICandrare-earthpelletcombinationsthatswitchinresponsetomagneticsignals...	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
BC636	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC636	文件：43.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPcomplements:BC635,BC637andBC639. FEATURES ?Highcurrent(max.1A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Audioandvideoamplifiers.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BC636	文件：86.61 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors(PNPSilicon) HighCurrentTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC636	文件：116.45 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistorsPNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
BC636	文件：126.87 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrent) PNPSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC635,BC637,BC639(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BC636	文件：56.7 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BC636	文件：144.01 Kbytes Page：15 Pages	45V,1APNPmediumpowertransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BC636	文件：221.74 Kbytes Page：2 Pages	PNPTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURE PowerDissipation:PCM:0.83mW(Tamb=25°C)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC636	文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS ?ComplementtoBC635/637/639	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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更多AD636LHZ供應(yīng)商更新時間2025-1-18 16:38:00

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