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AD647K	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	Ultralow Drift, Dual BiFET Op Amp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD647KH	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	Ultralow Drift, Dual BiFET Op Amp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD647L	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	UltralowDrift,DualBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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AD647SE	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	UltralowDrift,DualBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD647SH	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	UltralowDrift,DualBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
B647	文件：49.54 Kbytes Page：3 Pages	PNPPowerTransistor Features： ◆Highswitchingspeed ◆Widesafeoperationarea Applications： ◆ElectronicalBallastsforfluorescentlighting ◆ChargerandSwitchmodepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶導(dǎo)深圳市晶導(dǎo)電子有限公司	JINGDAO
BD647	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD647	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
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BD647	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD647	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD647	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD647	文件：108.24 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A LowSaturationVoltage ComplementtoTypeBD648	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD647	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
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BD647	文件：125.42 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BD647F	文件：279.03 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
AD647K
制造商：
AD
制造商全稱：
Analog Devices
功能描述：
Ultralow Drift, Dual BiFET Op Amp

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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