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ADJ11012	文件：142.7 Kbytes Page：9 Pages	1-pole/2-pole 16A polarized power relays Variety of contact arrangements FEATURES 1.Varietyofcontactarrangements Widelineupof1FormC,1FormA,1FormB,2FormC,2FormA,2FormB,1FormA1FormB. 2.Latchingoperation Latchingviaapolarizedmagneticcircuitstructureallowsremoteoperationandlowerenergyconsumption 3.Compactwithhighc	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
ADJ11012	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件類別：繼電器功率繼電器，高于 2 A 描述：RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 12V	PanasonicElectricWorks Panasonic Electric Works	PanasonicElectricWorks
ADJ11012	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：繼電器功率繼電器，高于 2 A 描述：RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 12V	PanasonicElectricWorks Panasonic Electric Works	PanasonicElectricWorks
AHN11012	文件：136.52 Kbytes Page：6 Pages	Relayforcontrolpanelof1c10A,2c5Aand1a16A	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
AHN11012	文件：136.5 Kbytes Page：6 Pages	Slimandcompactsize	IRF International Rectifier	IRF
EB-A11012-XX-B	文件：79.49 Kbytes Page：1 Pages	EUROBLOCK	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亞當(dāng)科技亞當(dāng)科技股份有限公司	ADAM-TECH
L-11012	文件：26.47 Kbytes Page：1 Pages	CURRENTSENSEINDUCTORS	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
MJ11012	文件：68.41 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistors TO-3Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
MJ11012	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain—hFE=1000(Min)@IC–20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：157.15 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60.120VOLTS200WATTS High-CurrentComplementarySiliconTransistors ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC?20Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShuntResistor ?JunctionTemperatureto+200C	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MJ11012	文件：140.07 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,60-120V,200W) COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. ?HighGainDarlingtonPerformance ?HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@IC=20A ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBaseEmitterShun	MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司	MOSPEC
MJ11012	文件：19.71 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERSSOLENOIDANDRELAYDRIVERS) SWITCHINGREGULATORSPWMINVERTERS SOLENOIDANDRELAYDRIVERS	WINGSWing Shing Computer Components 永盛電子永盛電子(香港)有限公司	WINGS
MJ11012	文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MJ11012	文件：51.91 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=60V(Min.) ?HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min.)@IC=20A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=3.0V(Max.)@IC=20A ?ComplementtoTypeMJ11011 APPLICATIONS ?Designedforuseasoutputdevicesincomple	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MJ11012	文件：96.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ..designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance HighDCCurrentGainhFE=1000(Min)@lc=20A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MJ11012G	文件：121.43 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NKC11012A	文件：763.65 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
NKD11012A	文件：763.65 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
NKE11012A	文件：763.65 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
ADJ11012
制造商：
Panasonic Electric Works
類別：
繼電器 > 功率繼電器，高于 2 A
系列：
ADJ
包裝：
管件
安裝類型：
通孔
線圈電壓：
12VDC
觸頭外形：
SPDT（1 Form C）
開關(guān)電壓：
250VAC - 最大
線圈類型：
鎖存，單線圈
端接樣式：
PC 引腳
密封等級：
密封式 - 焊劑防護(hù)
必須吸合電壓：
8.4 VDC
工作溫度：
-40°C ~ 70°C
觸頭材料：
銀錫氧化物（AgSnO）
繼電器類型：
通用
描述：
RELAY GEN PURPOSE SPDT 16A 12V

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多ADJ11012供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 16:30:00

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