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ADS120J001B3

3 rd Generation 120 0 V/ 1 A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導(dǎo)體三安光電股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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23+
SOP/DIP
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正品原裝貨價(jià)格低
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5000
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更多ADS120J001B3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 10:30:00

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