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AFBR-709DMZ-C	文件：355.98 Kbytes Page：11 Pages	AFBR-709DMZ Avago Broadcom Compatible Transceiver SFP 1.25/10GBase-SR/SW (850nm, MMF, 300m, DOM) Features ATGBICSAFBR-709DMZ?10GBase-SRsupportsadistanceofupto300movermulti-modefibre?(MMF)usingawavelengthof850nmviaanLCconnector. Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time?monitoringoftheparametersofthefibre?optictransceiver. Ourpro	ATGBICS ATGBICS by Approved Technology	ATGBICS
AFBR-709HDZ	文件：616.13 Kbytes Page：18 Pages	SFPTransceiver	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
AFBR-709ISMZ	文件：527.15 Kbytes Page：19 Pages	SFPTransceiver	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
AFBR-709JAMZ	文件：507.87 Kbytes Page：18 Pages	SFPTransceiver	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
AFBR-709SMZ	文件：492.51 Kbytes Page：19 Pages	10GbEthernet,850nm,10GBASE-SR/SW,SFPTransceiver	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
AFBR-709SMZ-C	文件：354.83 Kbytes Page：10 Pages	AFBR-709SMZAvagoBroadcomCompatibleTransceiverSFP10GBase-SR/SW(850nm,MMF,400m,DOM) Features ATGBICSAFBR-709SMZ?10GBase-SRsupportsadistanceofupto300movermulti-modefibre?(MMF)usingawavelengthof850nmviaanLCconnector. Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time?monitoringoftheparametersofthefibre?optictransceiver. Ourpro	ATGBICS ATGBICS by Approved Technology	ATGBICS
AN709	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	DesigningwiththeSi9976DYN-ChannelHalf-BridgeDriver INTRODUCTION TheSi9976DYisafullyintegratedhalf-bridgedriverICwhichwasdesignedtoworkwiththeLITTLEFOOTfamilyofpowerMOSFETproductsin20-to40-Vsystems.TheSi9976DYprovidesthegatedriveforboththelow-andhigh-sideMOSFETswhiletheSi9945(SO-8,3.3A)orSi4946EY	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
AR709	文件：167.65 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto1000V Meanforwardcurrent8710A Surgecurrent85kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AR709LT	文件：168.06 Kbytes Page：4 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto1000V Meanforwardcurrent9600A Surgecurrent85kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
AVE709	文件：136.54 Kbytes Page：1 Pages	AutomaticWindingMachineforMulti-tabElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
B709	文件：319.42 Kbytes Page：2 Pages	XDSLSPLITTERFILTERMODULE	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
BD709	文件：97.74 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS POWERLINEARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BD709	文件：261.76 Kbytes Page：5 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS POWERLINEARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BD709	文件：92.72 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?TheBD707andBD711arerespectivelycomplementtotypeBD708andBD712 APPLICATIONS ?Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD709	文件：133.72 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?TheBD707andBD711arerespectivelycomplementtotypeBD708andBD712 APPLICATIONS ?Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD709	文件：102.74 Kbytes Page：2 Pages	siliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecTO-220plasticpackage DESCRIPTION TheBD705,BD707,BD709andBD711aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecTO-220plasticpackageintendedforuseInpowerlinearandswitchingapplications.ThecomplementaryPNPtypesaretheBD706,BD708,BD710andBD712respectively.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
CL709	文件：39.29 Kbytes Page：1 Pages	HERMETICALLYSEALEDTO-5CASE [CLAIREX]	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
CM709	文件：218.29 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4MidgetGrooveBase ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	CML Chicago Miniature Lamp,inc	CML
CM709	文件：32.229 Kbytes Page：1 Pages	MidgetGrooveBase	VCC Visual Communications Company	VCC
CP709	文件：216.99 Kbytes Page：2 Pages	PowerTransistorPNP-LowSaturationTransistorChip PROCESSDETAILS ??????? ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize41.3x41.3MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea9.5x9.2MILS EmitterBondingPadArea12.8x10.2MILS TopSideMetalizati	CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體	Central

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更多AFBR-709DMZ-C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 11:06:00

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