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AFGY100T65SPD_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：AFGY100T65SPD品牌：onsemi

資料說明：IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

AFGY100T65SPD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的AFGY100T65SPD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    afgy100t65spd

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    AFGY100T65SPD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    5.1mJ（開），2.7mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    36ns/78ns

  • 測試條件：

    400V，100A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
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onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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onsemi
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ON(安森美)
23+
TO-247-3L
12298
公司只做原裝正品,假一賠十
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ON
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NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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ON
21+
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3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu)
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ON Semiconductor
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25000
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